英特尔全力押注 EUV 工艺 争取首发下代高 NA 光刻机

随着半导体工艺技术的飞速发展，英特尔正全力押注在 EUV 工艺上，决心争取首发下代高 NA 光刻机。这一战略决策的背后，是英特尔在追赶工艺进步和实现技术超越的坚定决心。

过去几年，英特尔在工艺进度上的落后与 10nm 和 7nm 工艺多次跳票有关。由于对 EUV 工艺的不成熟持保留态度，英特尔在工艺研发上遭遇了一些挑战。随着 EUV 光刻工艺量产化的不断发展，英特尔也开始全面跟进。首款使用 EUV 工艺的产品将是 Meteor Lake 流星湖芯片，预计在 2023 年发布。这一产品的问世，标志着英特尔在工艺技术的重大突破。

在接下来的 Intel 3 工艺和 Intel 20A 工艺中，英特尔将继续利用 EUV 工艺的优势，进一步提升产品的性能和能效。随着 EUV 技术的发展，英特尔已经规划到未来的 Intel 18A 工艺阶段。届时，将采用第二代 RibbonFET 晶体管技术和先进的 High-NA EUV 光刻机。这意味着英特尔有望在业界率先获得下一代 High-NA EUV 光刻机，从而引领半导体工艺技术的新一轮发展。

值得一提的是，High-NA EUV 光刻机的 NA 数值孔径将从目前的 0.33 提升到 0.5，这一重大技术突破的实现离不开与半导体设备巨头 ASML 的紧密合作。据预测，这款先进的 NXE：5000 系列光刻机将在 2025 至 2026 年间问世，单台售价超过 3 亿美元。对于致力于重返半导体技术领导地位的英特尔来说，这一投入无疑将为其在未来的技术竞争中占据优势地位。

随着英特尔在工艺技术上的不断创新和突破，对于广大消费者和业界来说这无疑是一个好消息。作为半导体行业的领军者，英特尔的回归无疑将激发整个行业的创新活力，推动半导体技术的持续发展和进步。期待英特尔在未来的技术竞赛中再创佳绩！